Sistem za-vakuumsko izhlapevanje s pomočjo ionov združuje visoko{1}}vakuumske termične ali-elektronske žarkovne vire za izhlapevanje z virom ionov tipa Kaufman-ali End-Hall. Z bombardiranjem rastočega filma z ioniziranim plinom (Ar ali O2) med fizičnim nanašanjem s paro (PVD) sistem prenaša kinetično energijo na adatome, zavira kolonasto mikrostrukturo in preprečuje absorpcijo vlage v optičnih in dielektričnih tankih filmih.
Sistem, izdelan za integracijo čistih prostorov in neprekinjeno več{0}}izmensko proizvodnjo, obsega od odtisov raziskav in razvoja (300 mm komore) do visoko{2}}zmogljivih industrijskih linij (900 mm dvojna-vrata in konfiguracije planetarne rotacije).
Tehnične specifikacije
|
Parameter Kategorija |
Tehnična specifikacija |
|
Dimenzije komore |
600 mm x 600 mm x 600 mm (prilagodljivo do 1200 mm) |
|
Material komore |
Nerjaveče jeklo 304L, notranje površine elektropolirane na Ra < 0,2 um |
|
Osnovni tlak |
<= 5.0 x 10^-5 Pa (Achieved within 45 minutes from atmosphere) |
|
Končni pritisk |
<= 8.0 x 10^-6 Pa |
|
Viri izhlapevanja |
Več{0}}žepna E-žarna pištola (6 x 15 cc / 4 x 40 cc) in uporovni toplotni viri |
|
Ionski vir |
End-Hall/brezmrežni ionski vir (napetost žarka: 50–300 V, ionski tok: 0–500 mA) |
|
Nastavek za podlago |
Planetarni rotacijski mehanizem (0-20 RPM) z opcijskim ogrevanjem (RT do 350 stopinj C) |
|
Nadzor debeline filma |
Quartz Crystal Microbalance (QCM) z dvojno senzorsko glavo in krmilnikom z zaprto{0}}zanko PID |
Ključne značilnosti
Skoraj-nasipna gostota:Povečana površinska mobilnost adatomov odpravlja vidno poroznost filma in povečuje mehansko trdoto.
Uravnavanje notranje napetosti:Nastavljiva energija ionskega žarka nevtralizira mehanske obremenitve in preprečuje razslojevanje na debelih dielektričnih nizih.
Nizka-toplotna-proračunska obdelava:Zgoščevanje,-ki ga poganja zagon, omogoča visoko{1}}zmogljiv premaz na temperaturno{2}}občutljive polimerne podlage brez toplotnega popačenja.
Avtomatizacija receptov:Vakuumske zapore-nadzorovane s PLC-jem in zaporedje-izčrpavanja, ki se upravlja prek industrijske-plošče HMI na dotik z beleženjem podatkov.
Konfiguracija vakuumskega sistema
Faza grobega obdelave:Dvo{0}}stopenjska mehanska črpalka z rotacijskimi lopaticami, povezana s puhalom korenin (hitrost 150 L/s) za hiter prehod.
Stopnja visokega vakuuma:Magnetno lebdeča turbomolekularna črpalka (1600 L/s), ki jo podpira-brezoljna suha vijačna črpalka za odpravo povratnega toka ogljikovodikov.
Kriogena možnost:Hladna past s tekočim dušikom in integracija kriočrpalke za nizke parcialne-tlake vodne pare.
Merjenje vakuuma:Navzkrižno-umerjeni Piranijevi in hladnokatodni merilniki za-realnočasovne povratne informacije iz atmosfere do 10^-7 Pa.
Materiali za izhlapevanje in združljivost s podlago
Materiali za izhlapevanje
Oksidi:SiO2, TiO2, Ta2O5, Nb2O5, Al2O3
Fluoridi:MgF2, LaF3
Kovine:Al, Ag, Au, Ti, Cr
Združljivost substrata
Optični substrati:Okna iz taljenega silicijevega dioksida, N-BK7, silicija, germanija in cinkovega selenida.
Polprevodniške rezine:100 mm do 300 mm silicijeve in sestavljene polprevodniške rezine.
Polimeri:Filmi PET, PI (poliimid) in PMMA z uporabo nizko{0}}temperaturnih parametrov IAD.
Aplikacije
Natančna optika:Pro-prevleke (AR), laserska zrcala in ozkopasovni filtri, ki zahtevajo odpornost na vlago.
Mikroelektronika:Kovinske zaporne elektrode, adhezijske plasti in pasivne pregrade v polprevodniški embalaži.
Optoelektronika:Transparentni prevodni oksidni kontakti (TCO) in OLED{0}}zaščitne plasti za inkapsulacijo vlage.
Možnosti prilagajanja
Geometrija komore:Pravokotne ali cilindrične zgradbe, prilagojene stenskim omejitvam čistih prostorov.
Več{0}}izvorna integracija:Naprave za so-izhlapevanje, ki sprejmejo do tri E-žarke in štiri termalne čolne.
Meroslovna vrata-na kraju samem:Vrata za integracijo s prirobnico za spektroskopske elipsometre ali optične nadzorne sisteme.
Stopnja avtomatizacije:Pol-avtomatsko raziskovanje sestavlja ali popolnoma avtomatizirano ravnanje z rezinami-na-kaseto.
Kontrola kakovosti in protokoli testiranja
Odkrivanje puščanja:Testiranje s helijevim masnim spektrometrom v vsaki komori s strogim pragom zavrnitve < 1 x 10^-9 Pa*m^3/s.
Preverjanje čistoče:Skeniranje analizatorja ostankov plina (RGA) je bilo opravljeno pred-odpremo, da se preveri nič organskih ogljikovodikov.
V-zapis sistema:72-urni neprekinjeni preskus suhega delovanja mehanskih pogonov, hladilnih kolektorjev in električnih zapor.
Dokumentacija:Certifikati o preskusu tovarne materialov (MTR), električne sheme in poročila o tovarniških sprejemnih preskusih (FAT).
Namestitev in tehnična podpora
Priprava mesta:Detailed facility guide covering floor loading, chilled water (>= 5 m^3/h), čisti suhi zrak (CDA) in izpuh.
Zagon:Uvedba storitev na terenu za mehansko niveliranje, priklop na električno omrežje, vakuumsko kalibracijo in odpis-receptov.
Usposabljanje operaterja:5-dnevni program na kraju samem, ki zajema delovanje, preventivno vzdrževanje, odpravljanje težav in varnostne zapore.
Rezervni deli:Kritični obrabni predmeti (filamenti, kristali QCM, tesnila, turbomolekularni ležaji), založeni regionalno.
Pogosto zastavljena vprašanja
V: Kako IAD preprečuje premik lomnega količnika?
O: Ionsko obstreljevanje izžene ujete ostanke plinov in stisne rast filma na skoraj-nasipno gostoto. To ustavi kondenzacijo vlage iz okolja pri atmosferskem prezračevanju, kar zagotavlja ničelni premik sredi-valovne dolžine skozi čas.
V: Kakšen je vzdrževalni interval za mreže in filamente ionskega vira?
O: End-Hallovi ionski viri delujejo 150-200 procesnih ur, odvisno od reaktivnih plinov. Hitro sprostitvene sponke omogočajo zamenjavo komponent v manj kot 30 minutah.
V: Ali lahko sistem obravnava reaktivne procese, kot je TiO2?
O: Da. Namenski visoko{1}}natančni krmilniki masnega pretoka (MFC) vbrizgavajo kisik ali dušik neposredno v komoro in vir ionov, kar zagotavlja popolno stehiometrijo in odpravlja sub{2}}absorpcijo oksida.
Priljubljena oznake: ionsko-oprema za vakuumsko izhlapevanje, Kitajska ionsko-vakuumsko izhlapevalna oprema proizvajalci, dobavitelji, tovarna
